MEMS、LED芯片、分立器件等晶圆曝光应用
● 成熟的曝光光学系统，高品质、高精度曝光，最高可达1µm的光刻分辨率。
● 采用自研的平行调整机构，能够高精度地设定掩膜与Wafer间的近接间隙。
● 选配的底部对准功能，对准精确度优于±2 µm。
● 高生产节拍，公司拥有资深的自动化团队，实现行业领先的设备产能效率。
● 拥有为超薄、易碎、翘曲或透明晶圆片定制传载能力。
● 大量附加功能、定制功能，满足多样化的工艺要求，还可实现全自动AGV / In-Line 生产方式。
| 性能名称 | 技术指标 |
| 兼容产品尺寸 | 2吋～6吋 |
| 晶圆或衬底厚度 | 200um～750um |
| 曝光模式 | 软接触、硬接触、真空曝光 |
| 解析度 | 3um |
| 对位精度 | 0.8um |
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