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第三代半导体装备事业部
激光装备事业部
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第三代半导体装备事业部
长晶炉
产品描述
产品参数
功能概述：
适用于SiC等第三代半导体材料的晶体生长。
特点优势：
性能名称
技术指标
兼容产品尺寸
4吋、6吋、8吋
加热方式
电阻式
长晶速度
0.2-0.3mm/h
长晶高度
30-40mm
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