适用于SiC等第三代半导体材料的晶体生长。
●一体式结构，前开式腔体，可自动化程度高；
●特殊防止打火设计，保证永不打火；
●石墨件耗量极低，制造成本低；
●极简长晶工艺，大大简化装出炉复杂性；
●极高的真空性能；
●再现性好，长晶重复率高。
| 性能名称 | 技术指标 |
| 长晶尺寸 | 6/8/12寸兼容 |
| 加热方式 | 电阻式 |
| 长晶速度 | 0.1-0.3mm/h |
| 长晶厚度 | 20-30mm |
| 最高温度 | 2400℃ |
| 额定功率 | 75KW |
| 推荐长晶功率 | 30-40KW |
| 12英寸长晶功率 | ＜40KW |
| 冷炉极限真空 | 9.0E-5Pa |
| 工艺段压控 | ＜10Torr：±0.005Torr |
| 控温精度 | ±0.3℃ |
| 外形尺寸 | 1800mm*3300mm*2700mm（宽*深*高） |
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